点击图片查看原图
MEM2306描述:
MEM2306系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2306适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
MEM2306特点:
• 20V/5A
• RDS(ON) =23.8mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
• 贴片封装：SOP8
MEM2306应用:
• 笔记本电池管理
• 便携式设备
• 电池电源系统
• DC/DC转换
• 负载开关
• LCD显示适配器等。 18123982064 QQ:2732711353